En este proyecto se estudiarán algunos de los factores fundamentales que determinan las propiedades electrónicas del GO, tales como resolver su distribución de carga debido a la existencia de dominios con diferente grado de oxidación y/o funcionalización. Además, se pretende establecer una correlación entre la distribución nanométrica de la carga y su dinámica con las propiedades macroscópicas del material, como la conductividad, fundamental para la aplicación de este material en diversos dispositivos.

Para abordar estos objetivos, es imprescindible obtener información local del sistema, por lo que proponemos afrontar este reto con una aproximación novedosa basada en la microscopia de fuerzas electrostáticas (ESFM) y la microscopía Kelvin (SKPM) que nos permita obtener simultáneamente la morfología y el mapa de la distribución del potencial superficial con resolución de unos poco nanómetros. Estas imágenes se procesarán de forma adecuada, para extraer la información relevante sobre la distribución de carga y de esta forma será posible interpretar los resultados basándonos en modelos teóricos adecuados.

En paralelo, la caracterización de las muestras se completará con espectroscopia Raman, espectroscopía óptica que nos darán información sobre la composición química, que complementarán los resultados a escala local y nos permitirán obtener una visión global del problema.